光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハ
文献类型：专利
| 作者 | 倉又 朗人; 窪田 晋一; 堀野 和彦; 副島 玲子 |
| 发表日期 | 2000-02-08 |
| 专利号 | JP2000040858A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハ |
| 英文摘要 | 【課題】 SiC基板上に形成するGaN系半導体技術に関し、SiC基板上にGaN系半導体結晶をエピタキシャルに成長し、かつSiC基板とGaN系半導体結晶層との間に良好な電気的伝導性を実現する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 n型SiC基板と、前記n型SiC基板上に直接エピタキシャルに形成され、3×1018〜1×1020cm-3のn型キャリア濃度を有するAlxGa1-x N層(0 |
| 公开日期 | 2000-02-08 |
| 申请日期 | 1998-12-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88581]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉又 朗人,窪田 晋一,堀野 和彦,等. 光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハ. JP2000040858A. 2000-02-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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