半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 江川 満 |
| 发表日期 | 1997-08-19 |
| 专利号 | JP1997219367A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体装置の製造方法に関し、半導体装置を選択成長により形成する際に、キャリア密度の面内分布が均一にする。 【解決手段】 選択成長マスク2を設けた半導体基板1上に、In、Ga、及び、Alの内の少なくとも1つ以上のIII 族元素と、As及びPの内の少なくとも1つ以上のV族元素とからなるIII-V族化合物半導体層を有機金属気相成長法によって選択成長させる際に、n型ドーピング原料として、選択成長マスク領域からのドーパント拡散量がIII 族元素拡散量を相殺してドーパント濃度が略均一になるドーピング原料を用いる。 |
| 公开日期 | 1997-08-19 |
| 申请日期 | 1996-02-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88585]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江川 満. 半導体装置の製造方法. JP1997219367A. 1997-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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