埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山下 茂雄; 依田 亮吉; 加藤 佳秋; 佐々木 真二; 苅田 秀孝 |
| 发表日期 | 1995-04-25 |
| 专利号 | JP1995111360A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リーク電流に起因するしきい電流値の変動を低減し、埋込型半導体レーザ素子の信頼性を高める。 【構成】 p型半導体基板1の主面上に、p型クラッド層2A、半導体活性層3A、n型クラッド層4Aの夫々を順次積層した突出状島領域6が形成され、前記突出状島領域6の両側壁面に、p型クラッド層2Aの側壁面若しくはn型クラッド層4Aの側壁面と半導体活性層3Aの側壁面とで形成される凹状若しくは凸状の段差部7が形成され、前記突出状島領域6の両側壁面側であって前記p型半導体基板1の主面上に、n型電流ブロック層9、p型電流ブロック層10の夫々が形成され、前記突出状島領域6の凹状若しくは凸状の段差部7に、前記n型電流ブロック層9とp型電流ブロック層10との間の成長界面が固定され、かつ前記p型電流ブロック層10上及びn型クラッド層4A上にn型平坦化層12が形成された埋込型半導体レーザ素子。 |
| 公开日期 | 1995-04-25 |
| 申请日期 | 1993-10-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88589]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山下 茂雄,依田 亮吉,加藤 佳秋,等. 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1995111360A. 1995-04-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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