半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 豪作; 奥山 浩之 |
| 发表日期 | 1996-04-30 |
| 专利号 | JP1996111566A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 クラッド層の材料としてZnMgSSe系化合物半導体を用いた低しきい値電流密度かつ長寿命の半導体発光素子を実現する。
【構成】 n型GaAs基板1上にn型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層3、n型ZnSu Se1-u 光導波層4、活性層5、p型ZnSu Se1-u 光導波層6、p型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層7などを積層した半導体レーザーにおいて、n型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層3のMg組成比pを0.10 |
| 公开日期 | 1996-04-30 |
| 申请日期 | 1994-10-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88597]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 豪作,奥山 浩之. 半導体発光素子. JP1996111566A. 1996-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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