半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 土屋 朋信; 大家 彰; 古森 正明; 佐藤 宏; 青木 雅博 |
| 发表日期 | 2001-02-09 |
| 专利号 | JP2001036195A |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 本願発明は、半導体光素子の諸特性を確保しつつ、長寿命なる半導体光素子を提供せんとするものである。この為の技術的課題は化合物半導体材料、わけても活性層への亜鉛(Zn)の拡散の制御にある。より具体的には、過剰なZnがInPクラッド層やコンタクト層から活性層に拡散を阻止ないしは減少させることである。 【解決手段】 本願発明は、Alを実質的に含有しない活性層と亜鉛を含有する化合物半導体層とを有する化合物半導体積層体の、前記Alを実質的に含有しない活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間に亜鉛の拡散を抑制する化合物半導体層を少なくとも有せしめる。亜鉛の拡散を抑制する化合物半導体層の具体例はInGaAlAs層である。 |
| 公开日期 | 2001-02-09 |
| 申请日期 | 1999-07-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88598]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 土屋 朋信,大家 彰,古森 正明,等. 半導体光素子. JP2001036195A. 2001-02-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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