半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 内藤 浩樹; 粂 雅博; 太田 一成; 清水 裕一 |
| 发表日期 | 2000-09-14 |
| 专利号 | JP3110527B2 |
| 著作权人 | 松下電子工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 光ディスク等の光源として用いる低雑音でしかも、低消費電力で量産性の高い半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 活性層となるGa1ーXAlXAs層の主面の少なくとも一方の側に、順次、一導電型のGa1ーY1AlY1As第一クラッド層、Ga1ーCAlCAsエッチングストップ層および、リッジ状のGa1ーY2AlY2As第二クラッド層を備えるとともに、前記リッジの長手方向の側面に沿って、これらとは逆の導電型のGa1ーZAlZAs電流ブロック層を備えてなり、AlAs混晶比、X、YおよびZの間に、Z>Y2>X≧0、Y1>C>Xの関係を成立させた構成を有している。 |
| 公开日期 | 2000-11-20 |
| 申请日期 | 1991-12-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88600]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内藤 浩樹,粂 雅博,太田 一成,等. 半導体レーザ装置. JP3110527B2. 2000-09-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。