半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 大矢 昌輝 |
| 发表日期 | 2009-09-10 |
| 专利号 | JP2009206463A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】スロープ効率の低下を抑制し、良好な素子特性が得られる能動MMI型半導体レーザを提供すること。 【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、能動多モード干渉導波路110bと、能動多モード干渉導波路110b内の光強度に応じて形成され、能動多モード干渉導波路110b内の電流量を制御する電流制御構造104bと、を有することを特徴とするものである。電流制御構造104bにより、無効電流を十分低減できると同時に、結合損失をほぼ零にすることができる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-09-10 |
| 申请日期 | 2008-02-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88605]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大矢 昌輝. 半導体発光素子. JP2009206463A. 2009-09-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。