半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 瀧口 治久; 猪口 和彦; 工藤 裕章; 菅原 聰; 種谷 元隆 |
| 发表日期 | 1993-10-29 |
| 专利号 | JP1993283790A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】電流閉じ込め機能に優れ、モード損失が小さく外部微分量子効率が大きく、非点格差の小さい内部ストライプ半導体レーザの実現を目的とする。 【構成】内部ストライプ半導体レーザにおいて、電流狭窄と光水平横モードを閉じ込める層群が前記活性層に近接する順番で禁制帯幅Eg2、禁制帯幅Eg3の連続した2層以上よりなり、前記活性層と前記電流·光閉込め層に挟まれたクラッド層の禁制帯幅をEg5としてここで Eg2≧ Eg1≧ Eg3かつ Eg5≧Eg2とし、ストライプ外部の垂直方向横モードの等価屈折率がストライプ内部の等価屈折率よりも小となり、またストライプ外の等価吸収係数が充分小さくなるように前記電流光閉込め層群の層厚を設定することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1993-10-29 |
| 申请日期 | 1991-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88606]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀧口 治久,猪口 和彦,工藤 裕章,等. 半導体レーザ. JP1993283790A. 1993-10-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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