III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 黒田 尚孝; 砂川 晴夫; 笹岡 千秋 |
| 发表日期 | 2000-01-14 |
| 专利号 | JP2000012976A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明の目的は、格子定数や熱膨張係数が異なる異種基板上にヘテロエピタキシャル成長したIII-V族化合物半導体厚膜においても非常に平坦な表面モホロジーが得られるエピタキシャル成長方法を提供することにある。 【解決手段】 0.3°以上のオフオリエンテションを有する基板の上に、マスクを用いて選択成長領域を設け、この領域に前記基板と格子定数または熱膨張係数の異なるIII-V族化合物半導体をファセット構造を形成しながら、さらにはマスクとともにこのファセット構造を埋め込みながら成長させることにより、非常に平坦性の良いIII-V族化合物半導体膜が得られる。また、このIII-V族化合物半導体膜の上にダブルヘテロ接合を含む半導体積層構造を形成することにより、結晶欠陥が非常に少なく、素子寿命の長い発光素子が得られる。 |
| 公开日期 | 2000-01-14 |
| 申请日期 | 1998-06-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88608]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒田 尚孝,砂川 晴夫,笹岡 千秋. III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法. JP2000012976A. 2000-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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