DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR A STRUCTURE MESA ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF
文献类型：专利
| 作者 | TAKEMI MASAYOSHI; KIMURA TATSUYA; SUZUKI DAISUKE; SHIBA TETSUO; SHIBATA KIMITAKA |
| 发表日期 | 1997-07-04 |
| 专利号 | FR2743197A1 |
| 著作权人 | MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
| 国家 | 法国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR A STRUCTURE MESA ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF |
| 英文摘要 | La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un procédé de fabrication de celui-ci.Le dispositif est caractérisé en ce qu'il comprend des couches d'enfouissement mesa comprenant une couche d'enfouissement (6) en InP du type p et une couche d'enfouissement (7) en InP du type n réalisée par croissance épitaxiale sur des surfaces latérale et supérieure de la couche (6) et l'épaisseur critique Dn de la couche (7) réalisée par croissance sur la surface (001) lorsque la couche (7) n'est pas réalisée par croissance sur la surface (111) B de la couche (6) est représentée par(CF DESSIN DANS BOPI)une épaisseur D de la couche (7) réalisée par croissance sur la surface (001) satisfaisant la relation de D =L'invention trouve application dans des systèmes de communication optique. |
| 公开日期 | 1997-07-04 |
| 申请日期 | 1996-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88618]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TAKEMI MASAYOSHI,KIMURA TATSUYA,SUZUKI DAISUKE,et al. DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR A STRUCTURE MESA ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF. FR2743197A1. 1997-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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