半導体レーザとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 深谷 一夫 |
| 发表日期 | 1997-10-31 |
| 专利号 | JP2712970B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力動作時の基本水平横モード発振の安定な半導体レーザを形成する。 【構成】 (100)n型GaAs基板上に、GaAs/AlGaAs系量子井戸活性層を含むダブルヘテロ構造を成長させ、p型クラッド層がメサストライプ状に除去された部分を選択的にn型GaInP電流ブロック層及びn型GaAs層で順次埋め込み成長することにより、導波領域であるメサストライプの両側部近傍に実効的屈折率がメサストライプ直下の多層構造のそれよりも低くかつ活性層以外の層での発振光の吸収がない多層構造が、そのさらに外側に発振光の吸収が大きい多層構造が形成されることにより、高出力動作時の基本水平横モード発振が安定なGaAs/AlGaAs系の高出力半導体レーザを得ることができる。 |
| 公开日期 | 1998-02-16 |
| 申请日期 | 1991-11-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88623]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 深谷 一夫. 半導体レーザとその製造方法. JP2712970B2. 1997-10-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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