半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 阪口 眞弓; 古山 英人 |
| 发表日期 | 1993-02-12 |
| 专利号 | JP1993037084A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 高効率で、かつ高速動作可能な半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 ストライプ状の活性層を複数のクラッド層で挾んで形成される活性領域と、活性領域を保持しp側電極に接続されるp型半導体基板と、前記活性領域の両側面を埋め込むように前記p型半導体基板上に積層されるp型半導体埋込層と、前記p型半導体埋込層上に積層され、前記p型半導体埋込層から拡散されてくる正孔に対し高い障壁となるn型半導体層と、前記n型半導体層上に積層され、n側電極から拡散されてくる電子を捕獲する深い準位を有する高抵抗半導体層とを備える。 |
| 公开日期 | 1993-02-12 |
| 申请日期 | 1991-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88627]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阪口 眞弓,古山 英人. 半導体レーザ装置. JP1993037084A. 1993-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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