分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 細井 洋治; 坪田 孝志 |
| 发表日期 | 1994-01-14 |
| 专利号 | JP1994005970A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 電流-光出力特性のキンクが従来より生じにくくかつ光取り出し効率の向上が図れる分布帰還型半導体レーザを提供する。 【構成】 ピッチが241nm、山の高さが20nm以下の所定値の回折格子11aを有するn型InP基板11上に、λg が10μmで厚さが0.13〜0.15μmのn型InGaAsP導波路層13と、厚さが50〜60nmのn型InPスペーサ層21と、λg が55μmで厚さが0.10〜0.13μmのアンドープInGaAsP活性層15と、λg が35μmで厚さが40〜50nmのp型InGaAsPバッファ層17と、厚さが0.5〜0.7μmのp型InPクラッド層19とをこの順に具える。 |
| 公开日期 | 1994-01-14 |
| 申请日期 | 1992-06-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88643]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細井 洋治,坪田 孝志. 分布帰還型半導体レーザ. JP1994005970A. 1994-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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