化合物半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 古川 幸生; 織田 仁 |
| 发表日期 | 1994-01-21 |
| 专利号 | JP1994013316A |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】その場で組成比を制御した化合物半導体膜を製造できる化合物半導体装置の製造方法である。 【構成】成長時の基板温度と各単体Te,Cd,Mnの供給量を、II族やVI族が単体では成長せずII-VI族化合物は成長できる様な条件の下で、成長を行う。化合物CdTe、三元系化合物CdMnTe、成長時化合物MnTe夫々の成長時のRHEED振動をモニターし、それらの振動周期の比から三元系化合物の組成比を見積もる。これにより、組成比を精度良く求めたエピ膜を含む半導体デバイスが製造される。 |
| 公开日期 | 1994-01-21 |
| 申请日期 | 1992-06-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88647]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古川 幸生,織田 仁. 化合物半導体装置の製造方法. JP1994013316A. 1994-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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