半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 玉村 好司; 朝妻 庸紀; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健 |
| 发表日期 | 2010-02-18 |
| 专利号 | JP2010040923A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】タイプII発光を抑制することにより発光効率を向上させることの可能な半導体発光素子を提供する。 【解決手段】n型クラッド層12(n型グレーデッド層13)と活性層16(ガイド層15)との間に、スペーサ層14が設けられている。スペーサ層14は、伝導帯下端がn型クラッド層12、n型グレーデッド層13、ガイド層15および活性層16の伝導帯下端よりも高い準位となるようなバンド構造を有しており、n型クラッド層12と活性層16とのタイプII発光を抑制するような材料および厚さにより構成されている。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-02-18 |
| 申请日期 | 2008-08-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88654]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岸野 克巳,野村 一郎,田才 邦彦,等. 半導体発光素子. JP2010040923A. 2010-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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