半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 鴫原 君男 |
| 发表日期 | 1999-08-10 |
| 专利号 | JP1999220208A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【課題】 従来例に比較してさらに高出力化が可能な半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】 n型クラッド層を含む1又は複数の層からなりかつn型半導体基板上に形成された第1半導体層と、該第1半導体層上に形成された活性層と、p型クラッド層を含む1又は複数の層からなりかつ活性層上に形成された第2半導体層とを備え、活性層においてレーザ発振をする活性領域とレーザ発振をしない非活性領域とが交互に形成された半導体レーザダイオードであって、非活性領域の幅を第2半導体層の厚さの2倍以上に設定した。 |
| 公开日期 | 1999-08-10 |
| 申请日期 | 1998-02-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88659]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鴫原 君男. 半導体レーザダイオード. JP1999220208A. 1999-08-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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