半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 二木 誠 |
| 发表日期 | 1993-05-18 |
| 专利号 | JP1993121829A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】基板10上に第1クラッド層12、活性層14、第2クラッド層16、第3クラッド層18及びコンタクト層20が形成されて成り、第3クラッド層18がストライプ状である半導体レーザであって、第2クラッド層16の厚さが正確に制御され、動作の安定した半導体レーザを提供する。 【構成】本発明の第1の態様の半導体レーザは、第3クラッド層18を構成する化合物半導体が、第2クラッド層16を構成する化合物半導体よりも早いエッチング速度を有する。第2の態様の半導体レーザは、各クラッド層12,16,18がアルミニウムを含む化合物半導体から成り、第3クラッド層18の化合物半導体中のアルミニウム含有率が、第2クラッド層16の化合物半導体中のアルミニウム含有率よりも高い。 |
| 公开日期 | 1993-05-18 |
| 申请日期 | 1991-10-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88663]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 二木 誠. 半導体レーザ. JP1993121829A. 1993-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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