半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 栗林 均 |
| 发表日期 | 1994-08-05 |
| 专利号 | JP1994216461A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】低動作電流でレーザ光スペクトルモードがマルチモードとなる素子を得る【構成】第二クラッド層に条状のメサ部を形成するとき、メサ部を形成しない領域の第二クラッド層の厚さを0.3μm以下とし、メサ部側面にAlZ Ga1-Z As層と、GaAs層との2層からなる電流阻止層を形成することにより、得られた半導体レーザ素子の横方向の光を最適状態に閉じ込め、低動作電流でレーザ光スペクトルモードをマルチモードとする。 |
| 公开日期 | 1994-08-05 |
| 申请日期 | 1993-01-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88669]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗林 均. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1994216461A. 1994-08-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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