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半導体光アンプ

文献类型:专利

作者▲浜▼本 貴一
发表日期1999-03-09
专利号JP1999068240A
著作权人日本電気株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体光アンプ
英文摘要【課題】 半導体光アンプにおいて、偏光に依存しない利得特性を得るとともに、飽和入力光強度レベルおよび飽和利得特性を向上させる。 【解決手段】 半導体光アンプに、1×1マルチモード干渉型(1×1-MMI)光導波路であるマルチモード導波路領域1と、その両端部に接続されている1対のシングルモード導波路領域2、3とからなる光導波路構造が設けられている。マルチモード導波路領域1は、長さが340μm程度で導波路幅W1が12μmであり、シングルモード導波路領域2、3は、それぞれ長さが20μm程度で導波路幅W2が1μmである。1×1-MMI光導波路を用いることにより偏光に依存しない利得特性が得られ、しかも飽和入力光強度レベルおよび飽和利得特性が向上する。
公开日期1999-03-09
申请日期1997-08-18
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88680]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電気株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
▲浜▼本 貴一. 半導体光アンプ. JP1999068240A. 1999-03-09.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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