半導体光アンプ
文献类型:专利
作者 | ▲浜▼本 貴一 |
发表日期 | 1999-03-09 |
专利号 | JP1999068240A |
著作权人 | 日本電気株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体光アンプ |
英文摘要 | 【課題】 半導体光アンプにおいて、偏光に依存しない利得特性を得るとともに、飽和入力光強度レベルおよび飽和利得特性を向上させる。 【解決手段】 半導体光アンプに、1×1マルチモード干渉型(1×1-MMI)光導波路であるマルチモード導波路領域1と、その両端部に接続されている1対のシングルモード導波路領域2、3とからなる光導波路構造が設けられている。マルチモード導波路領域1は、長さが340μm程度で導波路幅W1が12μmであり、シングルモード導波路領域2、3は、それぞれ長さが20μm程度で導波路幅W2が1μmである。1×1-MMI光導波路を用いることにより偏光に依存しない利得特性が得られ、しかも飽和入力光強度レベルおよび飽和利得特性が向上する。 |
公开日期 | 1999-03-09 |
申请日期 | 1997-08-18 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88680] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 日本電気株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲浜▼本 貴一. 半導体光アンプ. JP1999068240A. 1999-03-09. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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