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文献类型：专利
| 作者 | SHIBUYA TAKAO; SHIMIZU JUICHI; WADA MASARU; TERAMOTO ITSUKI; HAMADA TAKESHI; ITO KUNIO |
| 发表日期 | 1993-08-20 |
| 专利号 | JP1993056675B2 |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | - |
| 英文摘要 | PURPOSE:To form a vertical cavity mirror surface at a junction, by specifying the difference between the mixed crystal ratio (x) of a Ga1-xAlxAs cld layer on an active layer and the mixed crystal ratio (z) of a Ga1-zAlzAs layer formed on the clad layer through a GaAs layer, and effecting chemical etching through a mask. CONSTITUTION:An N type Ga1-xAlxAs (0 |
| 公开日期 | 1993-08-20 |
| 申请日期 | 1984-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88695]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SHIBUYA TAKAO,SHIMIZU JUICHI,WADA MASARU,et al. -. JP1993056675B2. 1993-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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