半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 松下 保彦 |
| 发表日期 | 1996-11-22 |
| 专利号 | JP1996306958A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 下地層が導電性およびへき開性を有し、かつGaN、AlNもしくはInNまたはこれらの混晶からなる成長層が下地層とほぼ完全に格子整合した半導体装置を提供することである。 【構成】 Alが添加されたp型6H-SiC基板10を用いる。p型6H-SiC基板10の{0001}面上に、p型GaN層21、p型AlGaNクラッド層22、n型InGaN発光層23、n型AlGaNクラッド層24およびn型GaN層25を順に含むGaN成長層20をエピタキシャル成長させる。 |
| 公开日期 | 1996-11-22 |
| 申请日期 | 1995-05-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88696]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松下 保彦. 半導体装置. JP1996306958A. 1996-11-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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