多層エピタキシャル成長結晶の製造装置
文献类型：专利
| 作者 | 大木 一宏; 富塚 雄二; 大室 彰男; 山下 誠治; 梶本 淳; 野村 重彦 |
| 发表日期 | 1995-12-19 |
| 专利号 | JP1995330485A |
| 著作权人 | 日新製鋼株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多層エピタキシャル成長結晶の製造装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 成長方向に関して混晶比変化が少なく厚いエピタキシャル層を成長させ、発光ダイオードとして好適なエピタキシャルウエハーを得る。 【構成】 徐冷法で複数枚のウエハーに多元混晶エピタキシャル層を液相成長させる装置において、収容部6が設けられた基板ホルダー5と、複数のウエハー2,3を保持し収容部6に設置されるウエハーホルダー1とを備えている。ウエハー2,3と収容部1との間に隙間7,8があり、メルト容積がウエハー2,3の総面積とメルト厚みの積の5倍以上となっている。 【効果】 濃度勾配に起因する拡散輸送に加え、隙間7,8からの対流によって成長界面にAlやAsが供給されるので、成長方向に関する混晶比の変化が抑制され、厚く均一なエピタキシャル層が形成される。 |
| 公开日期 | 1995-12-19 |
| 申请日期 | 1994-06-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88698]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日新製鋼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大木 一宏,富塚 雄二,大室 彰男,等. 多層エピタキシャル成長結晶の製造装置. JP1995330485A. 1995-12-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。