半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細羽 弘之; 須山 尚宏; ▲吉▼田 智彦; 兼岩 進治; 近藤 雅文; 幡 俊雄; 大林 健 |
| 发表日期 | 1999-04-02 |
| 专利号 | JP2908124B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 閾値電流が低く、高出力においても高い微分効率で安定して基本横モード発振することができ、信頼性に優れる半導体発光素子を提供する。 【構成】 電流狭窄用のストライプ溝112上に形成されたAlwGa1-wAs第3クラッド層9において、ストライプ溝112の底114の上方にある部分115の屈折率が、該ストライプ溝112の両側面113、113の上方にある部分116、116の屈折率より大きく形成されているため、この部分において実効屈折率差に基づく屈折率導波路が形成される。活性層3にて発生した光の基本横モードは、この屈折率導波路によって閉じ込められる。 |
| 公开日期 | 1999-06-21 |
| 申请日期 | 1992-07-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88701]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細羽 弘之,須山 尚宏,▲吉▼田 智彦,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2908124B2. 1999-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。