半導体の成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 河合 弘治; 池田 昌夫; 中村 文彦; 橋本 茂樹; 朝妻 庸紀; 簗嶋 克典 |
| 发表日期 | 1998-05-29 |
| 专利号 | JP1998144612A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体の成長方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaInN層などのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度でInを含まない別の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる必要がある場合に、そのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の劣化を防止することができる半導体の成長方法を提供する。 【解決手段】 GaN系半導体レーザの製造において、GaInN活性層26上にその成長温度よりも高い成長温度で成長させる必要があるp型AlGaNクラッド層29およびp型GaNコンタクト層30の成長温度を、GaInN活性層26の成長温度以上980℃以下、例えば930〜960℃とする。好ましくは、p型AlGaNクラッド層29の成長前に、GaInN活性層26の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度で成長させたp型AlGaNキャップ層28により下地表面を覆っておく。 |
| 公开日期 | 1998-05-29 |
| 申请日期 | 1996-11-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88703]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河合 弘治,池田 昌夫,中村 文彦,等. 半導体の成長方法. JP1998144612A. 1998-05-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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