中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
レーザービーム入射方法

文献类型:专利

作者丸山 眞示; 西田 直樹; 横山 光
发表日期2000-11-30
专利号JP2000329976A
著作权人ミノルタ株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名レーザービーム入射方法
英文摘要【課題】 光ファイバーあるいは光導波路からの出力光のばらつきを抑制でき、入射レーザービームと光ファイバーあるいは光導波路の光軸の位置合わせが容易であるレーザービームの入射方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明のレーザービーム入射方法は、レーザービームを光ファイバーあるいは光導波路に入射させる際の入射面におけるレーザービームの空間的強度分布は略均一であり、該レーザービームのスポットサイズは前記光ファイバーあるいは光導波路の基本モードのモード径以上であるようにする。
公开日期2000-11-30
申请日期1999-05-24
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88722]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ミノルタ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
丸山 眞示,西田 直樹,横山 光. レーザービーム入射方法. JP2000329976A. 2000-11-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。