半導体レーザおよびその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 木戸口 勳; 伴 雄三郎; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1994-01-28 |
| 专利号 | JP1994021576A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関するものである。クラッド層と活性層の間に特殊な構造を作製することで活性層への不純物や欠陥の拡散を防止する。よって良好な特性で、かつ長寿命の半導体レーザを提供する。 【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2を介してGa0.5In0.5P活性層4をn-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層3およびp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層5で挟むダブルヘテロ構造を有する。Ga0.5In0.5P活性層4とp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層5の間に薄膜多層構造6を有する。薄膜多層構造6は5nmのp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P層15と、5nmの不純物無添加の(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P層16を交互にそれぞれ10層積層した構造にである。 |
| 公开日期 | 1994-01-28 |
| 申请日期 | 1991-04-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88730]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木戸口 勳,伴 雄三郎,大仲 清司. 半導体レーザおよびその作製方法. JP1994021576A. 1994-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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