半導体光素子の製造方法およびそれを用いた半導体光素子ならびにそれを用いた光応用システム
文献类型：专利
| 作者 | 篠田 和典; 宮崎 勝; 魚見 和久 |
| 发表日期 | 1998-08-21 |
| 专利号 | JP1998223990A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子の製造方法およびそれを用いた半導体光素子ならびにそれを用いた光応用システム |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体光素子の製造に関し、特に低損傷で且つ加工寸法のウェハ面内均一性に優れた半導体導波路構造の製造方法を提供することである。 【解決手段】 半導体基板に段差を形成する半導体光素子の製造方法において、該段差をイオン照射を伴うドライエッチングによる第1工程とそれに引き続くイオン照射を伴わないドライエッチングによる第2工程とで形成する。 【効果】 これにより、半導体基板の段差を低損傷且つ加工寸法のウェハ面内均一性を損なうことなく形成できるため、素子寿命の信頼性が高い半導体光素子を容易に実現できる。 |
| 公开日期 | 1998-08-21 |
| 申请日期 | 1997-02-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88744]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 篠田 和典,宮崎 勝,魚見 和久. 半導体光素子の製造方法およびそれを用いた半導体光素子ならびにそれを用いた光応用システム. JP1998223990A. 1998-08-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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