半導体光変調器
文献类型：专利
| 作者 | 影山 茂己; 後藤 勝彦; 瀧口 透 |
| 发表日期 | 1995-04-21 |
| 专利号 | JP1995104222A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光変調器 |
| 英文摘要 | 【目的】 低い逆バイアス電圧で駆動することによりTM,TE両モードで高い消光比が得られ、さらに、能動領域の量子井戸層を多層にすることにより消光比を高くしても結晶が破断することがない半導体光変調器を提供することを目的とする。 【構成】 互いに逆の符号でかつ絶対値が等しい歪み量を有する第1の量子井戸層8と、第2の量子井戸層10とをバリア層9を挟んで交互に積層してなる能動領域3aを備えた。 【効果】 TE,TM両モードで高い吸収利得を得ることができ、トータル歪量を抑えて量子井戸を増やし、高い消光比を得ることができる。 |
| 公开日期 | 1995-04-21 |
| 申请日期 | 1993-10-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88751]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 影山 茂己,後藤 勝彦,瀧口 透. 半導体光変調器. JP1995104222A. 1995-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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