半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 古谷 章; 堂免 恵; 穴山 親志; 近藤 真人 |
| 发表日期 | 1995-06-23 |
| 专利号 | JP1995162079A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザに関し、MOVPE法を適用したp·n不純物同時ドープの利点を活かしながらp型の基板を用いた半導体レーザを実現させ、マイナス接地が多い電気機器に簡単に対応できるようにする。 【構成】 p-GaAs基板21上に半平面を規定する境界部分の断面形状が斜面をなし且つ他の部分は半平面をなすn-GaAs欠陥拡散抑止層22が形成され、p-AlGaInPクラッド層25及び前記斜面上でp-AlGaInP電流狭窄層部分26Pで且つ半平面上でn-AlGaInP電流狭窄層部分26Nである電流狭窄層及びp-AlGaInPクラッド層27が形成され、その上に禁制帯幅がp-AlGaInPクラッド層27より狭いInGaP活性層28が形成され、その上に禁制帯幅がInGaP活性層28より広いn-AlGaInPクラッド層29が形成されている。 |
| 公开日期 | 1995-06-23 |
| 申请日期 | 1993-12-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88760]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古谷 章,堂免 恵,穴山 親志,等. 半導体レーザ. JP1995162079A. 1995-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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