半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 松本 光晴; 林 伸彦; 後藤 壮謙; 國里 竜也; 茨木 晃 |
| 发表日期 | 2002-01-18 |
| 专利号 | JP3268958B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力特性および低雑音特性を実現しつつ横モードが安定でかつ設計の自由度が大きい半導体レーザ装置を提供することである。 【構成】 p-クラッド層4の平坦部40上およびリッジ部41の側面に活性層3とほぼ等しいバンドギャップを有するp-可飽和吸収層5を形成する。p-可飽和吸収層5上に、発振光のエネルギーよりも大きなエネルギーのバンドギャップを有するn-電流ブロック層7を形成する。 |
| 公开日期 | 2002-03-25 |
| 申请日期 | 1995-05-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88767]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 光晴,林 伸彦,後藤 壮謙,等. 半導体レーザ装置. JP3268958B2. 2002-01-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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