半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 速水 一行 |
| 发表日期 | 1993-04-30 |
| 专利号 | JP1993110133A |
| 著作权人 | オムロン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流狭窄構造の発光素子において、ジャンクションダウン実装に容易に対応できるようにすると共にエッチングによる凹部の形成工程や拡散による電流通路領域の形成工程を容易にし、活性層の上の拡散領域による光の吸収を無くす。 【構成】 活性層4の上にp型上部クラッド層5、p型ストップ層6、n型電流ブロック層7、p型キャップ層8を成長させる。ストップ層6は、Znの拡散速度及びHFに対するエッチング速度が電流ブロック層7よりも小さい。キャップ層8及び電流ブロック層7をそれぞれ選択的にエッチングして凹部10を形成した後、凹部10の内面(側壁面及び底面)にZnを拡散させて電流通路領域12を形成する。ついで、凹部10の底面においてストップ層6を除去し、活性層4の真上の電流通路領域を無くす。 |
| 公开日期 | 1993-04-30 |
| 申请日期 | 1991-10-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88773]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オムロン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 速水 一行. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1993110133A. 1993-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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