半導體雷射元件及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 川中敏; 中村厚; 萩元將人; 原英樹; 山本昌克 |
| 发表日期 | 2008-12-16 |
| 专利号 | TW200849753A |
| 著作权人 | 优志旺光半导体有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導體雷射元件及其製造方法 |
| 英文摘要 | 本發明之課題在於提供驅動電流很小且投影像無紊亂之半導體雷射元件。本發明之解決手段為半導體雷射係具有:n-GaAs基板、n-GaAs基板2上面依序層積n-鍍層、活性層、p-鍍層、p-接觸層之多層成長層、由p-接觸層之上面起至p-鍍層之特定深度為止選擇性除去而形成之脊(ridge)、重疊形成於n-GaAs基板的上面側,設於由脊之側面至n-GaAs基板之周緣的部分的絕緣膜、重疊於脊的p-接觸層之被形成於絕緣膜上的p型電極、及被形成於n-GaAs基板下面的n型電極,係n-GaAs基板對活性層之發光波長的光具有成為吸收層的禁制帶寬幅之構成,於成為前方射出面的端面側,從沿著端面而且從脊之側緣起隔著特定距離之p-鍍層部分至活性層的側緣之位置為止設有從p-鍍層起超過活性層的深度之溝,溝係以前述絕緣膜覆蓋的構造。 |
| 公开日期 | 2008-12-16 |
| 申请日期 | 2007-12-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88775]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 优志旺光半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川中敏,中村厚,萩元將人,等. 半導體雷射元件及其製造方法. TW200849753A. 2008-12-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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