半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 高橋 向星; 細田 昌宏; 菅 康夫; 角田 篤勇; 谷 健太郎; 松井 完益 |
| 发表日期 | 1999-04-16 |
| 专利号 | JP2916037B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 Pを含む層をエピタキシャル成長し、成長休止の後Asを含む層を分子線エピタキシャル法によって成長する際にP層からのP抜けを防ぎ、素子抵抗の増大を抑えることを目的とする。 【構成】 Pを含む層をエピタキシャル成長し、成長休止後Asを含む層を分子線エピタキシー法で成長する際、成長開始時の基板表面温度を450℃以上550℃以下とする。 |
| 公开日期 | 1999-07-05 |
| 申请日期 | 1992-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88779]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 向星,細田 昌宏,菅 康夫,等. 半導体装置の製造方法. JP2916037B2. 1999-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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