量子井戸構造光変調器付き分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 脇田 紘一; 小高 勇; 三冨 修; 浅井 裕充 |
| 发表日期 | 1993-09-28 |
| 专利号 | JP1993251812A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子井戸構造光変調器付き分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 レーザと光変調器の活性層,光導波層を光学的吸収端波長の異なる多重量子井戸(MQW)構造で構成し、かつ、両者の屈折率が滑らかに接続した集積化光源を提供する。 【構成】 MQW光変調器付きDFBレーザ素子10は、基板20とその上に設けられMQW構造26とこれを挟む上下クラッド層30,24とを有するDFBレーザ部12と、このレーザ部に結合されMQW構造34とこれを挟む上下クラッド層36,32とを有する光変調器部13とを備える。MQW構造26,34は導波方向に垂直な面内で相互に離隔し、変調器部の下クラッド層32を介して光結合領域16において光学的に結合されている。この光変調器付きレーザでは界面17は半導体部分15の対向する端面15Aのみを共有する。半導体部分14,15の上のクラッド層38は界面17を挟む領域に沿う分離部40を有する。 |
| 公开日期 | 1993-09-28 |
| 申请日期 | 1992-03-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88789]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 脇田 紘一,小高 勇,三冨 修,等. 量子井戸構造光変調器付き分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法. JP1993251812A. 1993-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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