Laser à semi-conducteur et son procédé de fabrication.
文献类型：专利
| 作者 | ANAYAMA, CHIKASHI; SEKIGUCHI, HIROSHI; KONDO, MAKOTO |
| 发表日期 | 1995-03-10 |
| 专利号 | FR2709612A1 |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 法国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Laser à semi-conducteur et son procédé de fabrication. |
| 英文摘要 | L'invention concerne un laser à semi-conducteur. Elle se rapporte à un laser à semi-conducteur qui comprend un substrat semi-conducteur (61) comprenant une partie inférieure de surface plane, une partie supérieure de surface plane et une partie de surface inclinée en forme de bande, une couche active (63), une couche supérieure de revêtement (64a, 64b, 64c), une couche d'arrêt de courant, et une région de canal de courant formée sur une partie correspondant à la partie de surface inclinée. L'épaisseur t1 de la partie inclinée est supérieure à celle des parties de surface plane, et les angles theta et PHI et la largeur W présentent la relation tg- 1 (2t1/W) |
| 公开日期 | 1995-03-10 |
| 申请日期 | 1994-07-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88793]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ANAYAMA, CHIKASHI,SEKIGUCHI, HIROSHI,KONDO, MAKOTO. Laser à semi-conducteur et son procédé de fabrication.. FR2709612A1. 1995-03-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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