窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 内田 憲治; 丹羽 敦子; 後藤 順; 河田 雅彦; 皆川 重量 |
| 发表日期 | 1998-12-18 |
| 专利号 | JP1998335702A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【解決手段】 第1の手段として、サファイア基板1結晶表面を反応性イオンエッチング処理し、その後窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長する。第2の手段として、これら窒化物系化合物半導体層は、(AlxGa1-x)InyN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1)とする。そして第3、4の手段として、これら基板上に形成した窒化物系化合物半導体層は、発光ダイオードまたはレーザダイオード素子構造とする。 【効果】 反応性イオンを用いてエッチングしたサファイア基板上に結晶成長することでエピタキシャル膜中の残留歪みが低減された高品質な窒化物系化合物半導体発光素子構造を作製できる。この結果、紫外領域から可視領域に対応する高品質な(AlxGa1-x)InyN系窒化物系化合物半導体発光ダイオードおよびレーザ素子構造を実現することができる。 |
| 公开日期 | 1998-12-18 |
| 申请日期 | 1997-06-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88802]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 憲治,丹羽 敦子,後藤 順,等. 窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子. JP1998335702A. 1998-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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