半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 常包 正樹 |
| 发表日期 | 1993-07-02 |
| 专利号 | JP1993167186A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力で安定して動作する半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 本発明は量子井戸を活性層とする半導体レーザにおいて、Alを含んだ半導体層上にSiO2 膜を堆積させた領域1を形成した後、800℃以上の高温で保持し、領域1下の量子井戸を無秩序化させ、その無秩序化させた領域に於てレーザ素子の共振器の反射面を構成することにより、無秩序化された共振器面を含む領域の活性層が、レーザ素子の反射器面近傍を除く、無秩序化していないレーザ素子の中央部分の活性層に比べ、実効的に大きなエネルギーギャップを有し、反射面近傍に於けるレーザ発振光の吸収を少なくすることにより、従来のレーザ素子より高い出力で安定して動作する半導体レーザ素子の、簡便で生産性の高い製造方法を提供するものである。 |
| 公开日期 | 1993-07-02 |
| 申请日期 | 1991-12-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88810]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 常包 正樹. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1993167186A. 1993-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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