半導体発光素子構造におけるグルーブの形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 堀江 秀善; 藤森 俊成; 長尾 哲; 細井 信行; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 1995-08-18 |
| 专利号 | JP1995221345A |
| 著作权人 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子構造におけるグルーブの形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】一定形状のグルーブを容易かつ比較的再現性良く形成することが出来、しかも、大きなサイドエッチングを防止したグルーブの形成方法を提供する。 【構成】MAs(MはIIIb族元素の一種または二種以上を表す)で構成される下層(1)の{100}面上にMPで構成されるコア層(2)とMAsで構成される上層(3)を順次にエピタキシャル成長させる結晶成長工程、上層(3)に保護層(4)を形成した後に当該保護層にエッチング窓を形成するリソグラフィー-エッチング工程、上層(3)を選択エッチングする第1エッチング工程、コア層(2)の{111}面が主に現れている面を除く他の面を選択エッチングする第2エッチング工程とを順次に結合して含む。 |
| 公开日期 | 1995-08-18 |
| 申请日期 | 1994-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88812]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀江 秀善,藤森 俊成,長尾 哲,等. 半導体発光素子構造におけるグルーブの形成方法. JP1995221345A. 1995-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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