半導体装置の製法
文献类型：专利
| 作者 | 北嶋 久義 |
| 发表日期 | 2000-05-12 |
| 专利号 | JP2000133881A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体層の表面にマスクを設けてエッチングし、その部分に選択的に埋込半導体層をエピタキシャル成長する場合に、半導体層にダメージを与えないようにエッチングをしながら、マスクの庇部による影響をなくして半導体層をエピタキシャル成長することができる半導体装置の製法を提供する。 【解決手段】 半導体層(p形クラッド層4)の表面の一部にマスク9を設け、そのマスク9から露出する前記半導体層の部分をエッチングし、エッチングされた部分に埋込半導体層5を選択的にエピタキシャル成長する場合に、マスク9から露出する前記半導体層をエッチング液によりエッチングした後、マスク9を腐食し得るエッチング液に浸漬することにより、前記半導体層のエッチングにより形成される前記マスクの庇部9aがなくなる程度の時間エッチングし、その後埋込半導体層5を選択成長することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-05-12 |
| 申请日期 | 1998-10-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88814]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北嶋 久義. 半導体装置の製法. JP2000133881A. 2000-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。