半導体レーザ素子の製造方法、及び半導体レーザ素子の実装方法
文献类型：专利
| 作者 | 東出 啓 |
| 发表日期 | 2000-11-02 |
| 专利号 | JP2000307183A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法、及び半導体レーザ素子の実装方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 コーティング膜形成後にレーザバー同士を容易に離脱させることを可能とする。 【解決手段】 半導体基板上に、レーザ素子をなし、光導波路を含む積層構造を形成する工程と、前記半導体基板を、複数個のバー状に劈開し、このレーザバーの劈開面上にコーティング膜を形成する工程と、を少なくとも含む半導体レーザ素子の製造方法において、前記レーザバーの劈開面の一方の角の部分を取り除き、角の取り除かれた部分が同一方向に向くよう、複数のレーザバーを並べて配置して、前記劈開面上にコーティング膜を形成してなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-11-02 |
| 申请日期 | 1999-04-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88815]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東出 啓. 半導体レーザ素子の製造方法、及び半導体レーザ素子の実装方法. JP2000307183A. 2000-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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