半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 吉国 裕三; 山中 孝之; 横山 清行 |
| 发表日期 | 1993-09-21 |
| 专利号 | JP1993243668A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【構成】InP基板1上に形成されたInGaAs/InP歪量子井戸活性層2は、2×1018cm~3のBeがドーピングされた変調ドーピング構造となっており、また光導波路層3の上に回折格子4が刻まれて分布帰還構造の光共振器を形成しており、これらとInPクラッド層5、InGaAsコンタクト層6、金属電極層7で半導体レーザ装置を構成しており、微分利得のピーク波長である55μmで発振する。 【効果】発振線幅が狭く、高速で変調が可能で、変調時での発振線幅の増加が少ない半導体レーザ装置が得られる。 |
| 公开日期 | 1993-09-21 |
| 申请日期 | 1992-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88818]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉国 裕三,山中 孝之,横山 清行. 半導体レーザ装置. JP1993243668A. 1993-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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