半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 須郷 満; 天明 二郎; 森 英史; リヒャルト ネェツェル |
| 发表日期 | 2002-06-07 |
| 专利号 | JP3314794B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 工程が簡単で生産性の改良された多量量子細線構造の活性層を有する半導体レーザとその製造方法を提供する。 【構成】 n+-InP半導体基板1を(001)方位から1°以上傾斜したものを基板ホルダーに設置し、所定の温度に設定したのち、n-InPバッファ層2、InGaAsPガイド層3を連続して成長する。引き続き、InGaAsP/InGaAsP歪超格子層4およびInGaAs歪量子井戸活性層5を成長する。その後、InGaAsPガイド層6、p-InPクラッド層7を積層する。 |
| 公开日期 | 2002-08-12 |
| 申请日期 | 1994-03-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88827]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須郷 満,天明 二郎,森 英史,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP3314794B2. 2002-06-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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