半導体レーザ素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲広▼山 良治; 上谷 ▲高▼弘; 太田 潔; 米田 幸司; 庄野 昌幸; 茨木 晃; 吉年 慶一 |
| 发表日期 | 2002-03-22 |
| 专利号 | JP3291431B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 腐食性ガスを用いずに歩留まりよく製造できる光閉じ込め層を有する半導体レーザ素子とその製造方法を提供することが目的である。 【解決手段】 n型クラッド層3と、このn型クラッド層3上に形成された活性層5と、活性層5上に形成されたリッジ部7bを有するp型クラッド層7と、p型クラッド層7上に形成されたn型光閉じ込め層10と、層厚0.4μm以下のn型電流ブロック層11と、を備える。 |
| 公开日期 | 2002-06-10 |
| 申请日期 | 1996-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88829]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲広▼山 良治,上谷 ▲高▼弘,太田 潔,等. 半導体レーザ素子とその製造方法. JP3291431B2. 2002-03-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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