半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 小野澤 和利; 川口 真生 |
| 发表日期 | 2010-01-07 |
| 专利号 | JP2010003746A |
| 著作权人 | PANASONIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】2次元状に配置可能で且つ光の結合ロスが少なく、発光効率が高い表面発光型半導体レーザ装置を実現できるようにする。 【解決手段】半導体レーザ装置は、基板11の上に形成され、基板11の主面と平行に延びるストライプ状の光導波路32を有する窒化物半導体の積層構造31を備えている。光導波路32の少なくとも一方の端面には、光導波路32を伝播する光を基板11の主面と垂直な方向に反射する反射ミラー34が形成されている。積層構造31における反射ミラー34により反射された光が出射される光出射領域には、外縁部において中央部よりも実効屈折率が小さい実効屈折率分布を有するように形成された光透過膜35が形成されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-01-07 |
| 申请日期 | 2008-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88833]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野澤 和利,川口 真生. 半導体レーザ装置. JP2010003746A. 2010-01-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。