光半導体集積回路の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲濱▼本 貴一; 松本 卓 |
| 发表日期 | 1996-11-05 |
| 专利号 | JP1996292336A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体集積回路の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 1回の結晶成長工程により、波長組成差の大きい複数の結晶成長層を形成しうるようにする。 【構成】 n-InP基板11上に対となる選択的結晶成長用マスク22を、複数対マスク幅を異ならせて形成する(図には1対のマスクのみを示す)。n-InP基板11上に、成長圧力を500Torr以上とした有機金属気相成長法により、n-InGaAsP層12、n-InPスペーサ層13、下部SCH層(光閉じ込め層)14、MQW層15、上部SCH層16、InPクラッド層17を順次選択的に成長させる〔図4(a)〕。マスク22を除去し、InP埋め込み層18を形成する〔図4(b)〕。 |
| 公开日期 | 1996-11-05 |
| 申请日期 | 1995-04-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88839]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲濱▼本 貴一,松本 卓. 光半導体集積回路の製造方法. JP1996292336A. 1996-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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