半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 白石 誠司 |
| 发表日期 | 1997-12-12 |
| 专利号 | JP1997321387A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型の基板の上に格子歪みのない活性層を形成することにより特性を向上させることができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 p型のInP混晶により形成した基板1の上にIII-V族バッファ層2およびII-VI族バッファ層3を介してII-VI族化合物半導体よりなる第1導電型クラッド層4,活性層5および第2導電型クラッド層6が順次積層されている。III-V族バッファ層2はGaInP混晶よりなるIII-V族半導体層2aと、AlInP混晶よりなるIII-V族半導体層2bとにより構成されている。II-VI族バッファ層3はZnSe混晶よりなるII-VI族半導体層と、ZnSSe混晶よりなるII-VI族半導体層とにより構成されている。 |
| 公开日期 | 1997-12-12 |
| 申请日期 | 1996-05-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88843]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 白石 誠司. 半導体発光素子. JP1997321387A. 1997-12-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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