半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 佐川 みすず; 平本 清久 |
| 发表日期 | 1999-05-21 |
| 专利号 | JP1999135877A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、不純物注入による端面透明化構造を有する半導体レーザ装置において、良好な電流狭窄構造を有する半導体レーザ装置を提供することにある。 【解決手段】 共振器長方向の一部の活性層に不純物添加したのちにさらに半導体基板と同導電型である半導体層形成を行った後に共振器方向に沿ってストライプ状に活性層には到達しないリッジを形成し、該リッジを半導体層で埋め込むことにより他の部分よりも実効屈折率の高い領域を有する半導体レーザ装置において、上記リッジを埋め込む半導体層が導電帯の異なる2層以上から形成し、さらに、該不純物添加した領域上を基板と同導電性の半導体層により埋め込まれた構造により構成される。 【効果】 本発明により、不純物注入による端面透明化構造を有する半導体レーザ装置において、良好な電流狭窄構造を有する半導体レーザ装置を実現した。このため、高出力半導体レーザにおいて高信頼化を実現した。 |
| 公开日期 | 1999-05-21 |
| 申请日期 | 1997-10-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88844]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐川 みすず,平本 清久. 半導体レーザ装置. JP1999135877A. 1999-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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