一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘媛媛; 方高瞻; 马骁宇 |
| 发表日期 | 2009-02-11 |
| 专利号 | CN101364547A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及光电子技术领域，公开了一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，该方法包括：将大功率半导体列阵器件(12)封装在单片微沟道热沉(13)上，形成单片微沟道器件(18)；将若干个形成的单片微沟道器件(18)叠层粘结在一起，形成叠层器件；对形成的叠层器件进行烘烤，实现对半导体列阵器件的微沟道叠层封装。利用本发明，实现了高功率密度输出。 |
| 公开日期 | 2009-02-11 |
| 申请日期 | 2007-08-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88854]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘媛媛,方高瞻,马骁宇. 一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法. CN101364547A. 2009-02-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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