半導体光素子及びそれを使用した半導体光装置
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 安弘; 黒崎 武志; 東盛 裕一; 福田 光男; 岡本 稔; 杉江 利彦; 馬渡 宏泰 |
| 发表日期 | 1995-03-31 |
| 专利号 | JP1995086696A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子及びそれを使用した半導体光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 単結晶半導体でなる基板と、その基板上に形成されている単結晶半導体でなる活性層とを有する半導体光素子において、半導体光検出器としての機能を得ている場合に、その半導体光検出器しての光検出感度が信号光の偏波態様にほとんど依存しないようにする。 【構成】 活性層が、基板を構成している単結晶半導体と等しい格子定数を有する単結晶半導体を用いてエピタキシャル成長法によって形成されている井戸層と、基板を構成している単結晶半導体に比し小さな格子定数を有する単結晶半導体を用いてエピタキシャル成長法によってその成長方向と直交する方向に引張り歪が与えられている状態に形成されているバリア層とが順次交互に積層されている量子井戸構造を有する。 |
| 公开日期 | 1995-03-31 |
| 申请日期 | 1993-09-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88862]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 安弘,黒崎 武志,東盛 裕一,等. 半導体光素子及びそれを使用した半導体光装置. JP1995086696A. 1995-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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