光デバイスの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡野 誠; 山本 宗継; 小森 和弘 |
| 发表日期 | 2008-10-02 |
| 专利号 | JP2008233707A |
| 著作权人 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光デバイスの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 2DPCスラブ構造に代表される薄膜スラブ構造に適した電極配線を有する光デバイスの製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 光デバイスの第1のコア層となるべき部位を有する第1の基板を用意し、光デバイスの第2のコア層となるべき部位、低屈折率絶縁性クラッド層となるべき部位を有する第2の基板を用意し、第2の基板の第2のコア層となるべき部位に、p型、又はn型領域を形成するための不純物ドーピングを行い、第1の基板の第1のコア層となるべき部位と第2の基板の第2のコア層となるべき部位とを接合してコア層を形成させ、第1のコア層を形成する部位を残して第1の基板を除去し、コア層に所望の光デバイス構造を形成させ、第1のコア層を形成する部位の一部を除去し、第2のコア層を形成する部位の一部を露出させ、コア層上に低屈折率絶縁膜を形成させ、低屈折率絶縁膜の一部を除去し、第1のコア層を形成する部位、第2のコア層を形成する部位に接続する電極配線を形成する、光デバイスの製造方法。 【選択図】図10 |
| 公开日期 | 2008-10-02 |
| 申请日期 | 2007-03-23 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88871]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡野 誠,山本 宗継,小森 和弘. 光デバイスの製造方法. JP2008233707A. 2008-10-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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